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 元器件信息库   XC4VLX25-10SFG363I
 XC4VLX25-10SFG363I
                    
                    
                    十月 19 2019
XC4VLX25-10SFG363I_中文资料_Xilinx_PDF下载_规格参数
产品概述
| 产品型号 | XC4VLX25-10SFG363I | 
| 描述 | 集成电路FPGA 240 I/O 363FCBGA | 
| 分类 | 集成电路(IC),嵌入式-FPGA(现场可编程门阵列) | 
| 制造商 | Xilinx公司 | 
| 系列 | Virtex®-4LX | 
| 打包 | 托盘 | 
| 零件状态 | 活性 | 
| 电压-电源 | 1.14V〜1.26V | 
| 工作温度 | -40°C〜100°C(TJ) | 
| 包装/箱 | 363-FBGA,FCBGA | 
| 供应商设备包装 | 363-FCBGA(17x17) | 
| 基本零件号 | XC4VLX25 | 
产品图片

XC4VLX25-10SFG363I
规格参数
| 可编程逻辑类型 | 现场可编程门阵列 | 
| 符合REACH | 是 | 
| 符合欧盟RoHS | 是 | 
| 状态 | 活性 | 
| 最大时钟频率 | 1028.0兆赫 | 
| JESD-30代码 | S-PBGA-B363 | 
| JESD-609代码 | 1号 | 
| 总RAM位 | 1327104 | 
| CLB数量 | 2688.0 | 
| 输入数量 | 240.0 | 
| 逻辑单元数 | 24192.0 | 
| 输出数量 | 240.0 | 
| 端子数 | 363 | 
| 组织 | 2688 CLBS | 
| 峰值回流温度(℃) | 260 | 
| 资格状态 | 不合格 | 
| 座高 | 1.99毫米 | 
| 子类别 | 现场可编程门阵列 | 
| 电源电压标称 | 1.2伏 | 
| 最小供电电压 | 1.14伏 | 
| 最大电源电压 | 1.26伏 | 
| 安装类型 | 表面贴装 | 
| 技术 | CMOS | 
| 终端完成 | 锡/银/铜(Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 
| 终端表格 | 球 | 
| 端子间距 | 0.8毫米 | 
| 终端位置 | 底部 | 
| 时间@峰值回流温度最大值(秒) | 30 | 
| 长度 | 17.0毫米 | 
| 宽度 | 17.0毫米 | 
| 包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 | 
| 包装代码 | FBGA | 
| 包装等效代码 | BGA363,20X20,32 | 
| 包装形状 | 广场 | 
| 包装形式 | 网格排列,精细间距 | 
| 制造商包装说明 | 无铅FBGA-363 | 
环境与出口分类
| 无铅状态/RoHS状态 | 无铅/符合ROHS3 | 
| 水分敏感性水平(MSL) | 4(72小时) | 
特点
•Virtex-4 LX:高性能逻辑应用解决方案
•Xesium™时钟技术
。数字时钟管理器(DCM)模块
。附加的相位匹配时钟分频器(PMCD)
。差分全局时钟
•XtremeDSP™Slice
。18 x 18,二进制补码,带符号乘法器
。可选的管道阶段
。内置累加器(48位)和加法器/减法器
•智能RAM内存层次结构
。分布式RAM
。双端口18 Kbit RAM块·可选的管线级·可选的可编程FIFO逻辑自动将RAM信号重新映射为FIFO信号
。高速存储器接口支持DDR和DDR-2 SDRAM,QDR-II和RLDRAM-II。
•SelectIO™技术
。1.5V至3.3VI / O操作
。内置ChipSync™源同步技术
。数控阻抗(DCI)有源终端
。细粒度的I / O银行业务(在一个银行中进行配置)
•灵活的逻辑资源
•安全芯片AES位流加密
•90 nm铜CMOS工艺
•1.2V核心电压
•倒装芯片封装,包括无铅封装选择
CAD模型

XC4VLX25-10SFG363I符号

XC4VLX25-10SFG363I脚印
PDF资料
产品制造商介绍
Xilinx公司成立于1984年,Xilinx首创了现场可编程逻辑阵列(FPGA)这一创新性的技术,并于1985年首次推出商业化产品。总部设在加利福尼亚圣何塞市(San Jose)。Xilinx 目前被广泛认为是半导体行业中管理最佳,财务状况良好的高科技企业。2018年7月17日以3亿美元收购北京人工智能芯片初创公司深鉴科技。2019年4月25日赛灵思收购位于加州尔湾的私有公司Solarflare Communications。
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