VNH5019A-E是一款全桥电机驱动器，适用于各种汽车应用。该器件集成了一个双单芯片高边驱动器和两个低边开关。高边驱动器开关采用意法半导体广为人知且久经考验的专有VIPower®M0技术设计，可在同一芯片上高效集成具有智能信号/保护电路的真功率MOSFET。三个骰子组装在电隔离引线框架上的多功率SO-30封装中。该封装专为恶劣的汽车环境而设计，采用裸露芯片焊盘，可提高热性能。
十一月 15 2022
STM32F745ZGT6中文资料PDF与引脚图
STM32F745ZGT6基于高性能ARM®Cortex-M7®32位RISC内核，工作频率高达216MHz。Cortex-M7®内核具有单浮点单元(SFPU)精度，支持所有ARM®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和存储器保护单元(MPU)，从而增强了应用安全性。
十月 7 2022
VNH3SP30TR-E中文资料数据手册PDF与引脚图
九月 2 2022
VN340SP-E中文资料PDF与引脚图及封装
VN340SP-E是采用STMicroelectronicsVIPower技术制造的单片器件，旨在驱动四个独立的电阻或电感负载，其一侧接地。有源电流限制可避免在负载短路的情况下降低系统电源。
八月 23 2022
STM32F411CEY6TR中文资料PDF与引脚图
STM32F411CEY6TR Nucleo板为用户提供了一种经济实惠且灵活的方式来尝试新想法并使用任何STM32微控制器系列构建原型，从性能、功耗和功能的各种组合中进行选择。Arduino™连接支持和STMorpho接头可轻松扩展STM32 Nucleo开放式开发平台的功能，并提供多种专用屏蔽。
八月 17 2022
STM8S207CBT6中文资料PDF与引脚图
STM8S207CBT6线8位微控制器提供32至128KB的闪存程序存储器。在STM8S微控制器系列参考手册中，它们被称为高密度器件。STM8S207CBT6具有以下优点：降低系统成本、性能稳定、开发周期短和产品寿命长。由于集成的真数据EEPROM可进行高达300k的写入/擦除周期，以及具有内部时钟振荡器、看门狗和褐化复位的高系统集成度，系统成本得以降低。
八月 15 2022
STM32F767BIT6中文资料PDF
STM32F767BIT6包含高速嵌入式存储器和高达2MB的闪存、512KBSRAM(包括用于关键实时数据的128KB数据TCMRAM)、16KB指令TCMRAM(用于关键实时例程)、在最低功耗模式下提供4KB备份SRAM，以及连接到两条APB总线、两条AHB总线、一条32位多AHB总线的各种增强型I/O和外设矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。
七月 21 2022
STM32F103C8T6中文资料PDF与引脚图及封装
STM32F103C8T6使用高性能的ARM®Cortex™-M332位的RISC内核，工作频率为72MHz，内置高速存储器(高达128K字节的闪存和20K字节的SRAM)，丰富的增强I/O端口和联接到两条APB总线的外设。此器件都包含2个12位的ADC、3个通用16位定时器和1个PWM定时器，
七月 20 2022
ECMF02-4CMX8数据表PDF
七月 18 2022
STM32F042C6T6数据手册
STM32F042C6T6微控制器具有运行频率高达48MHz的ARM®Cortex®-M032位RISCCPU、高速嵌入式存储器(高达32KB的闪存和6KB的SRAM)以及一整套升级的外设和I/O。
