主页  元器件信息库   STM32F215RGT6

六月 21 2021

STM32F215RGT6单片机

从Kynix购入该产品

描述

STM32F215RGT6系列基于高性能ARMCortex-M332位RISC内核,工作频率高达120MHz。该系列包含高速嵌入式存储器(高达1MB的闪存、高达128KB的系统SRAM)、高达4KB的备份SRAM,以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备,三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。该器件还具有自适应实时内存加速器(ARTAccelerator),可在CPU频率上升时实现相当于从闪存执行0等待状态程序的性能到120MHz。此性能已使用CoreMark基准测试验证。所有设备均提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器,包括两个用于电机控制的PWM定时器,两个通用32位定时器。

产品概述

产品型号

STM32F215RGT6

描述

IC MCU 32BIT 1MB FLASH 64LQFP

类别

集成电路 (IC),嵌入式 - 微控制器

制造商

STMicroelectronics

系列

STM32F2

电压 - 电源 (Vcc/Vdd)

1.8V ~ 3.6V

工作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

包装/箱

64-LQFP

供应商设备包

64-LQFP (10x10)

基本零件号

STM32F215

产品图片

STM32F215RGT6

STM32F215RGT6

规格参数

产品种类

ARM微控制器 - MCU

零件状态

活性

地址总线宽度

26.0

位大小

32

时钟频率-最大

26.0 兆赫

CPU系列

CORTEX-M3

外部数据总线宽度

16.0

JESD-30 代码

S-PQFP-G64

JESD-609 代码

e4

I/O 线数

51.0

终端数量

64

电源

2/3.3

内存(字节)

131072.0

ROM 可编程性

闪光

ROM(字)

1048576

速度

120.0 兆赫

子类别

微控制器

电源电流-最大

81.0 毫安

电源电压-Nom

2.7 伏

安装方式

表面贴装

技术

CMOS

温度等级

工业

终端完成

镍/钯/金 (Ni/Pd/Au)

终端形式

鸥翼型

终端间距

0.5 毫米

终端位置

四边形

长度

10.0 毫米

宽度

10.0 毫米

包体材质

塑料/环氧树脂

包装代码

LQFP

包等效代码

QFP64,.47SQ,20

包装形状

正方形

包装风格

平装

环境与出口分类

RoHS 状态

符合 ROHS3

湿气敏感度 (MSL)

3(168 小时)

特点

  • 三个12位ADC

  • 两个DAC

  • 低功耗RTC

  • 十二个通用16位定时器,包括两个用于电机控制的PWM定时器

  • 两个通用32位定时器

  • 真数随机发生器

  • 睡眠、停止和待机模式

  • 调试模式:串行线调试(SWD)、JTAG和Cortex-M3 Embedded Trace Macrocell™

应用领域

  • 工业

  • 安全

  • 音频

  • 电机驱动与控制

引脚图

封装

STM32F215RGT6封装

STM32F215RGT6封装

PDF资料

应用笔记

类型

标题

PDF

STM32F215RGT6产品设计参考手册.pdf

PDF

STM32F215RGT6产品修订记录.pdf

PDF

STM32F215RGT6开发手册.pdf

产品制造商介绍

意法半导体(STMicroelectronics)是一家国际性的半导体生产商,总部位于瑞士日内瓦。自创办以来,意法半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在产品研发设计领域工作,2010年研发占总收入近23%。意法半导体被评为半导体工业最具创新力的公司之一,拥有 20,000项左右的专利和待批专利申请。拥有丰富的芯片制造工艺,包括先进的 CMOS 逻辑(互补金属氧化物半导体)、混合信号、模拟和功率制造工艺,意法半导体是开发下一代 CMOS 技术的国际半导体开发联盟(ISDA)的合作企业之一。

相关产品推荐

图片 产品型号 品牌 描述 数量 价格
(USD)
STM32F207ZET6 STM32F207ZET6 Company:STMicroelectronics Remark:STM32F207ZET6基于高性能ARM Cortex-M3 32位RISC内核,工作频率高达120MHz。该系列包含高速嵌入式存储器(高达1MB的闪存、高达128KB的系统SRAM)、高达4KB的备份SRAM,以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备,三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。该器件还具有自适应实时内存加速器(ARTAccelerator),可在CPU频率上升时实现相当于从闪存执行0等待状态程序的性能到120MHz。 In Stock:On Order
Buy
Buy Price:call
STM8S207CBT6 STM8S207CBT6 Company:STMicroelectronics Remark:STM8S207CBT6线8位微控制器提供32至128KB的闪存程序存储器。在STM8S微控制器系列参考手册中,它们被称为高密度器件。STM8S207CBT6具有以下优点:降低系统成本、性能稳定、开发周期短和产品寿命长。由于集成的真数据EEPROM可进行高达300k的写入/擦除周期,以及具有内部时钟振荡器、看门狗和褐化复位的高系统集成度,系统成本得以降低。 In Stock:11035
Buy
Buy Price:call
STM32F103C8T6 STM32F103C8T6 Company:STMicroelectronics Remark:STM32F103C8T6使用高性能的ARM®Cortex™-M332位的RISC内核,工作频率为72MHz,内置高速存储器(高达128K字节的闪存和20K字节的SRAM),丰富的增强I/O端口和联接到两条APB总线的外设。此器件都包含2个12位的ADC、3个通用16位定时器和1个PWM定时器, In Stock:45000
Buy
Buy Price:call
STM32F205RGT7 STM32F205RGT7 Company:STMicroelectronics Remark:STM32F205RGT7基于高性能ARM®Cortex®-M332位RISC内核,工作频率高达120MHz。该型号包含高速嵌入式内存(高达1MB的闪存、高达128KB的系统SRAM)、高达4KB的备份SRAM,以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵的一系列增强型I/O和外围设备。它还配备了自适应实时内存加速器(ART加速器)™)它允许在CPU频率高达120MHz的情况下,从闪存中实现相当于0等待状态程序执行的性能。 In Stock:5015
Buy
Buy Price:call
STM32F334R8T7TR STM32F334R8T7TR Company:STMicroelectronics Remark:STM32F334R8T7TR基于高性能ARM®Cortex®-M432位RISC内核,FPU工作频率为72MHz,并嵌入了浮点单元(FPU)、内存保护单元(MPU)和嵌入式跟踪宏单元(ETM)。包含高速嵌入式存储器(512KB闪存、64KBSRAM)、用于静态存储器(SRAM、PSRAM、NOR和NAND)的灵活存储器控制器(FSMC)以及范围广泛的增强型I/O和外围设备连接到一个AHB和两个APB总线。 In Stock:3500
Buy
Buy Price:call
STM32F031F6P6 STM32F031F6P6 Company:STMicroelectronics Remark:STM32F031F6P6微控制器集成了以48MHz最大频率运行的高性能ARM Cortex-M032位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达32KB的闪存和高达4KB的SRAM)以及广泛的一系列增强型外设和I/O。STM32F031F6P6微控制器包括采用四种不同封装的器件,从20引脚到48引脚不等。根据选择的设备,包括不同的外围设备。 In Stock:2500
Buy
Buy Price:call