HMC326MS8GETR_中文资料_ADI_PDF下载_规格参数

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产品概述

产品型号	HMC326MS8GETR
描述	IC射频放大器GP 3GHZ-4.5GHZ 8MSOP
分类	RF / IF和RFID，射频放大器
制造商	ADI公司
打包	切割带(CT)
零件状态	活性
电压-电源	5伏
包装/箱	8-TSSOP，8-MSOP(0.118“，3.00mm宽度)裸焊盘
供应商设备包装	8-MSOPG
基本零件号	HMC326

产品图片

HMC326MS8GETR

规格参数

制造商包装说明	符合RoHS标准，超小型，塑料，SMT，MSOP-8
符合REACH	是
符合欧盟RoHS	是
符合中国RoHS	是
状态	活性
射频/微波设备类型	宽带中功率
特性阻抗	50.0欧姆
结构	零件
增益	18.0分贝
最大输入功率(CW)	15.0分贝
噪声系数	5分贝
JESD-609代码	e3
安装功能	表面贴装
功能数量	1个
端子数	8
最小工作频率	3000.0兆赫
最大工作频率	4500.0兆赫
P1分贝	23.5dBm
最低工作温度	-40℃
最高工作温度	85℃
包装主体材料	塑料/环氧树脂
包装等效代码	TSSOP8，.19
子类别	射频/微波放大器
最大电源电流	160.0毫安
技术	双极
终端完成	锡(Sn)

环境与出口分类

RoHS状态	符合ROHS3
水分敏感性水平(MSL)	1(无限制)

特点

饱和输出功率：+26 dBm
> 40% PAE
输出 IP3：+36 dBm
超小型封装：MSOP8G

应用领域

微波无线电
宽带无线电系统
无线本地环路驱动放大器

PDF资料

产品制造商介绍

亚德诺半导体技术有限公司(英语：Analog Devices，NYSE：ADI)是一家财富500强美国的跨国半导体装置生产商。亚德诺半导体技术有限公司专为消费与工业产品制造ADC、DAC、MEMS与DSP芯片。他们目前正在设计大小范围为65奈米到3微米的电路。该公司总部位于麻省诺伍德市，于美国与爱尔兰利默里克市拥有生产工厂，于菲律宾拥有巨大的包装设备，开发中心位于以色列、中国北京及上海、日本东京、台湾台北、苏格兰爱丁堡、澳洲墨尔本、印度海得拉巴及班加洛、德国慕尼黑、西班牙瓦仑西瓦与其他地方。

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