元器件信息库 CSD19531Q5A
二月 27 2020
CSD19531Q5A_中文资料_TI_PDF下载_规格参数
产品概述
产品型号 | CSD19531Q5A |
描述 | 场效应管N-CH 100V 100A 8SON |
分类 | 分立半导体产品，晶体管-FET，MOSFET-单 |
制造商 | 德州仪器 |
系列 | NexFET™ |
打包 | 切割带(CT |
零件状态 | 活性 |
工作温度 | -55°C〜150°C(TJ) |
供应商设备包装 | 8-VSONP(5x6) |
包装/箱 | 8-PowerTDFN |
基本零件号 | CSD19531 |
产品图片
CSD19531Q5A
规格参数
制造商包装说明 | 符合RoHS标准，塑料，VSON-8 |
符合欧盟RoHS | 是 |
符合中国RoHS | 是 |
状态 | 活性 |
雪崩能量等级(Eas) | 180.0兆焦耳 |
案例连接 | 排水 |
组态 | 单头内置二极管 |
最大漏极电流(Abs)(ID) | 100.0安 |
最大漏极电流(ID) | 16.0安 |
最大电阻下的漏源 | 0.0078欧姆 |
DS击穿电压-最小值 | 100.0伏 |
反馈上限(Crss) | 16.9 pF |
场效应管类型 | N通道 |
场效应管技术 | 金属氧化物半导体 |
JESD-30代码 | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码 | e3 |
元素数 | 1.0 |
端子数 | 5 |
操作模式 | 增强模式 |
最低工作温度 | -55℃ |
最高工作温度 | 150℃ |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装形状 | 长方形 |
包装形式 | 小轮廓 |
峰值回流温度(℃) | 260 |
极性/通道类型 | N通道 |
最大功耗(Abs) | 125.0瓦 |
最大脉冲漏极电流(IDM) | 337.0安 |
子类别 | FET通用电源 |
安装类型 | 表面贴装 |
终端完成 | 磨砂锡(Sn) |
终端表格 | 平面 |
终端位置 | 双 |
时间@峰值回流温度-最大(秒) | 未标明 |
晶体管应用 | 交换 |
晶体管元件材料 | 硅 |
附加功能 | 雪崩等级 |
环境与出口分类
RoHS状态 | 符合ROHS3 |
水分敏感性水平(MSL) | 1(无限制) |
特点
超低Qg和Qgd
低热阻
雪崩等级
无卤素
塑胶包装
-55至150°C的工作结温范围
应用领域
工业
电源管理
电机驱动和控制
通信与网络
PDF资料
产品制造商介绍
德州仪器(英语：Texas Instruments, TI，NASDAQ：TXN)是一家位于美国德克萨斯州达拉斯的跨国公司，于1951年创建。最初生产地震工业和国防电子的相关设备。TI于20世纪50年代初开始研究晶体管，同时也制造了世界上第一个商用硅晶体管。随后TI涉足制造导弹和炸弹的雷达系统，导航和控制系统。世界上第一台便携式计算器由TI于1967年发明。20世纪70、80年代公司业务集中于家用电子产品，如数字钟表、电子手表、便携式计算器、家用电脑以及各种传感器。
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