元器件信息库 CSD17313Q2T
六月 8 2020
CSD17313Q2T_中文资料_TI_PDF下载_规格参数
产品概述
产品型号 | CSD17313Q2T |
描述 | 场效应管N-CH 30V 5A |
分类 | 分立半导体产品，晶体管-FET，MOSFET-单 |
制造商 | 德州仪器 |
系列 | NexFET™ |
打包 | 切割带(CT) |
零件状态 | 活性 |
工作温度 | -55°C〜150°C(TJ) |
供应商设备包装 | 6 WSON(2x2) |
包装/箱 | 6-WDFN裸焊盘 |
基本零件号 | CSD173 |
产品图片
CSD17313Q2T
规格参数
制造商包装说明 | WSON-6 |
符合REACH | 是 |
符合欧盟RoHS | 是 |
符合中国RoHS | 是 |
状态 | 活性 |
场效应管类型 | N通道 |
雪崩能量等级(Eas) | 18.0兆焦耳 |
组态 | 单头内置二极管 |
最大漏极电流(ID) | 5.0安 |
最大电阻下的漏源 | 0.042欧姆 |
DS击穿电压-最小值 | 30.0伏 |
反馈上限(Crss) | 17.0 pF |
耗散功率(最大值) | 2.4W(Ta)，17W(Tc) |
场效应管技术 | MOSFET(金属氧化物) |
JESD-30代码 | S-PDSO-N6 |
JESD-609代码 | e3 |
元素数 | 1.0 |
端子数 | 6 |
操作模式 | 增强模式 |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装形状 | 四方形 |
包装形式 | 小轮廓 |
极性/通道类型 | N通道 |
脉冲漏极电流最大值(IDM) | 57.0安 |
安装类型 | 表明贴装 |
终端完成 | 磨砂锡(Sn) |
终端表格 | 无铅 |
终端位置 | DUAL |
晶体管应用 | 交换 |
晶体管元件材料 | 硅 |
环境与出口分类
RoHS状态 | 符合ROHS3 |
水分敏感性水平(MSL) | 1(无限制) |
特点
针对5V栅极驱动进行了优化
超低Q g和Q gd
低热阻
无铅
符合RoHS
无卤素
SON 2mm×2mm塑料封装
应用领域
DC-DC转换器
电池和负载管理应用
PDF资料
产品制造商介绍
德州仪器(英语：Texas Instruments, TI)是一家位于美国德克萨斯州达拉斯的跨国公司，以开发、制造、销售半导体和计算器技术闻名于世，主要从事数字信号处理与模拟电路方面的研究、制造和销售。自1982年以来，TI成为数字信号处理(DSP)解决方案全球的领导厂商及先驱，为全球超过30,000个客户提供创新的DSP和混合信号/模拟技术，应用领域涵盖无线通讯、宽带、网络家电、数字马达控制与消费类市场。为协助客户更快进入市场抢得先机，TI提供简单易用的开发工具及广泛的软硬件支持，并与DSP解决方案供应商组成庞大的第三方网络，帮助他们利用TI技术发展出超过1,000种产品，使服务支持更加完善。
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