元器件信息库 TPS1120DR
十二月 22 2021
芯片TPS1120DR技术参数PDF
描述
TPS1120DR集成了两个独立的p沟道增强型MOSFET，这些MOSFET通过德州仪器LinBiCMOSTM工艺进行了优化，用于电池供电系统中的3V或5V配电。最大VGS(th)为-1.5V和IDSSTPS1120的电流仅为0.5uA，是低压便携式电池管理系统的理想高边开关，其中最大限度地延长电池寿命是首要考虑因素。由于便携式设备可能会受到静电放电(ESD)的影响，因此MOSFET具有用于2kVESD保护的内置电路。TPS1120DR的终端设备包括笔记本电脑、个人数字助理(PDA)、移动电话、条形码扫描仪和PCMCIA卡。对于现有设计，此器件具有与小外形集成电路SOIC封装中的其他p沟道MOSFET共用的引脚排列。TPS1120DR的特点是工作结温范围TJ为-40°C至150°C。
产品概述
| 制造商 | 德州仪器 |
| 制造商产品编号 | TPS1120DR |
| 供应商 | 德州仪器 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
| 详细描述 | MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 15V 1.17A 840mW 表面贴装型 8-SOIC |
| 类别 | 分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET-阵列 |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154"，3.90mm宽) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 基本产品编号 | TPS1120 |
产品图片
TPS1120DR
规格参数
| 零件状态 | 在售 |
| FET类型 | 2个P沟道(双) |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压(Vdss) | 15V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.17A |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 180毫欧@1.5A，10V |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 5.45nC@10V |
| 5.45nC@10V | 840mW |
| 箱/包 | 集成电路 |
| 引脚数 | 8 |
| 连续漏极电流(ID) | 1.17安 |
| 目前评级 | -1.17安 |
| 漏源击穿电压 | 15伏 |
| 秋季时间 | 秋季时间 |
| 栅源电压(Vgs) | 2伏 |
| 最高工作温度 | 125℃ |
| 最大功耗 | 840兆瓦 |
| 最低工作温度 | -40℃ |
| 元素数 | 2 |
| 打包 | Digi-Reel® |
| 功耗 | 840兆瓦 |
| 最大Rds | 180毫欧 |
| 上升时间 | 10纳秒 |
| 关断延迟时间 | 13纳秒 |
| 开启延迟时间 | 4.5纳秒 |
| 额定电压(直流) | -15伏 |
| 高度 | 1.75毫米 |
| 长度 | 4.9毫米 |
| 厚度 | 1.58毫米 |
| 宽度 | 3.91毫米 |
环境与出口分类
| 属性 | 描述 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| REACH状态 | 非REACH产品 |
| 无铅 | 无铅 |
| 辐射硬化 | 不 |
特点
低rDS(on)0.18在VGS=-10V
3V兼容
不需要外部VCC
TTL和CMOS兼容输入
VGS(th)=-1.5V最大值
ESD保护高达2kV，符合MIL-STD-883C，方法3015
引脚图
CAD模型
TPS1120DR符号
TPS1120DR焊垫
TPS1120DR 3D模型
封装
TPS1120DR封装
替代型号
| 型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
| TPS1120D | 德州仪器 | MOS管 | 双P沟道,1.17A,-15V,0.18ohm,-10V,-1.25V |
| TPS1120DG4 | 德州仪器 | MOS管 | SOIC，P-Channel-15V，1.17A，180mohms |
| TPS1120DRG4 | 德州仪器 | MOS管 | SOIC，P-Channel15V，1.17A |
PDF资料
产品制造商介绍
德州仪器(TI)是一家美国技术公司，总部设在达拉斯，德克萨斯州，设计和制造半导体及各种集成电路，它出售给电子产品设计者和全球制造商。按销售额计算，它是全球前10名的半导体公司之一。公司的重点是开发模拟芯片和嵌入式处理器，它们占其收入的80%以上。TI也生产TI数字光处理技术和教育技术产品包括计算器、微控制器和多核处理器。截至2016年，公司在全球拥有45000项专利。在股市中，德州仪器通常被视为半导体和电子行业整体的指标，截至2018年，TI在财富500强美国最大公司名单中按收入排名第192位。
相关产品推荐
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 描述 | 数量 | 价格 (USD) |
 |
TPS826711SIPR | Company:Texas Instruments | Remark:TPS826711SIPR是一个专门针对低功耗应用的完整的600mADC/DC降压电源。封装中包括开关稳压器、电感器和输入/输出电容器。设计无需采用额外器件。TPS826711SIPR基于针对电池供电的便携式应用而进行优化的高频同步降压DC/DC转换器。MicroSiPTMDC/DC转换器可在稳定的5.5MHz开关频率下工作，可在轻负载电流时进入省电模式，以保持整个负载电流范围内的高效率。 | In Stock:17500 Buy |
Buy | Price:call |  |
TPS54140DGQ | Company:Texas Instruments | Remark:描述：IC REG BUCK ADJ 1.5A 10MSOP 分类：集成电路(IC)，PMIC-稳压器-DC DC开关稳压器 制造商：德州仪器 系列：环保模式 零件状态：活性 | In Stock:On Order Buy |
Buy | Price:call |  |
TPS54160DGQ | Company:Texas Instruments | Remark:产品型号：TPS54160DGQ 描述：IC REG BUCK ADJ 1.5A 10MSOP 分类：集成电路(IC)，PMIC-稳压器-DC DC开关稳压器 制造商：德州仪器 系列：Eco-Mode™ 打包：切割带(CT) 零件状态：活性 | In Stock:On Order Buy |
Buy | Price:call |  |
TPS79850QDGNRQ1 | Company:Texas Instruments | Remark:TPS79850QDGNRQ1是50V高压微功率低压差(LDO)线性稳压器系列中的第一款器件。该器件能够提供50mA输出电流，压差仅为300mV。TPS79850QDGNRQ1专为低静态电流高压(50V)应用而设计，40µA运行电流和1µA停机电流使TPS798xx-Q1成为电池供电或高压系统的理想选择。静态电流在压差方面也得到了很好的控制。 | In Stock:427780 Buy |
Buy | Price:call |  |
TPS62160DGKR | Company:Texas Instruments | Remark:产品型号：TPS62160DGKR 描述：IC REG BUCK可调1A 8VSSOP 分类：集成电路(IC)，PMIC-稳压器-DC DC开关稳压器 制造商：德州仪器 系列：DCS-Control™ 打包：切割带(CT) 零件状态：活性 | In Stock:On Order Buy |
Buy | Price:call |  |
TPS54331DR | Company:Texas Instruments | Remark:TPS54331DR是一款28V、3A非同步降压转换器，集成了一个低RDS(on)高边MOSFET。为了提高轻负载时的效率，会自动激活脉冲跳跃Eco模式功能。此外，1µA关断电源电流允许该器件用于电池供电应用。具有内部斜率补偿的电流模式控制简化了外部补偿计算并减少了元件数量，同时允许使用陶瓷输出电容器。 | In Stock:497037 Buy |
Buy | Price:call |
