

十二月 22 2021
芯片TPS1120DR技术参数PDF
描述
TPS1120DR集成了两个独立的p沟道增强型MOSFET,这些MOSFET通过德州仪器LinBiCMOSTM工艺进行了优化,用于电池供电系统中的3V或5V配电。最大VGS(th)为-1.5V和IDSSTPS1120的电流仅为0.5uA,是低压便携式电池管理系统的理想高边开关,其中最大限度地延长电池寿命是首要考虑因素。由于便携式设备可能会受到静电放电(ESD)的影响,因此MOSFET具有用于2kVESD保护的内置电路。TPS1120DR的终端设备包括笔记本电脑、个人数字助理(PDA)、移动电话、条形码扫描仪和PCMCIA卡。对于现有设计,此器件具有与小外形集成电路SOIC封装中的其他p沟道MOSFET共用的引脚排列。TPS1120DR的特点是工作结温范围TJ为-40°C至150°C。
产品概述
制造商 | 德州仪器 |
制造商产品编号 | TPS1120DR |
供应商 | 德州仪器 |
描述 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
详细描述 | MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 15V 1.17A 840mW 表面贴装型 8-SOIC |
类别 | 分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET-阵列 |
工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
基本产品编号 | TPS1120 |
产品图片
TPS1120DR
规格参数
零件状态 | 在售 |
FET类型 | 2个P沟道(双) |
FET功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 15V |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.17A |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 180毫欧@1.5A,10V |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 5.45nC@10V |
5.45nC@10V | 840mW |
箱/包 | 集成电路 |
引脚数 | 8 |
连续漏极电流(ID) | 1.17安 |
目前评级 | -1.17安 |
漏源击穿电压 | 15伏 |
秋季时间 | 秋季时间 |
栅源电压(Vgs) | 2伏 |
最高工作温度 | 125℃ |
最大功耗 | 840兆瓦 |
最低工作温度 | -40℃ |
元素数 | 2 |
打包 | Digi-Reel® |
功耗 | 840兆瓦 |
最大Rds | 180毫欧 |
上升时间 | 10纳秒 |
关断延迟时间 | 13纳秒 |
开启延迟时间 | 4.5纳秒 |
额定电压(直流) | -15伏 |
高度 | 1.75毫米 |
长度 | 4.9毫米 |
厚度 | 1.58毫米 |
宽度 | 3.91毫米 |
环境与出口分类
属性 | 描述 |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
REACH状态 | 非REACH产品 |
无铅 | 无铅 |
辐射硬化 | 不 |
特点
低rDS(on)0.18在VGS=-10V
3V兼容
不需要外部VCC
TTL和CMOS兼容输入
VGS(th)=-1.5V最大值
ESD保护高达2kV,符合MIL-STD-883C,方法3015
引脚图

CAD模型
TPS1120DR符号
TPS1120DR焊垫
TPS1120DR 3D模型
封装
TPS1120DR封装
替代型号
型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
TPS1120D | 德州仪器 | MOS管 | 双P沟道,1.17A,-15V,0.18ohm,-10V,-1.25V |
TPS1120DG4 | 德州仪器 | MOS管 | SOIC,P-Channel-15V,1.17A,180mohms |
TPS1120DRG4 | 德州仪器 | MOS管 | SOIC,P-Channel15V,1.17A |
PDF资料
产品制造商介绍
德州仪器(TI)是一家美国技术公司,总部设在达拉斯,德克萨斯州,设计和制造半导体及各种集成电路,它出售给电子产品设计者和全球制造商。按销售额计算,它是全球前10名的半导体公司之一。公司的重点是开发模拟芯片和嵌入式处理器,它们占其收入的80%以上。TI也生产TI数字光处理技术和教育技术产品包括计算器、微控制器和多核处理器。截至2016年,公司在全球拥有45000项专利。在股市中,德州仪器通常被视为半导体和电子行业整体的指标,截至2018年,TI在财富500强美国最大公司名单中按收入排名第192位。
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