主页  元器件信息库   IRF3205

十二月 30 2020

IRF3205_中文资料_IR_参数_引脚图_替代型号_封装_PDF

库存: 665
从Kynix购入该产品

描述

IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF3205是一个高电流N沟道MOSFET能够切换电流高达110A和55V。MOSFET的特长在于它的导通电阻非常低,仅为8.0mΩ,使其适用于诸如逆变器,电机速度控制,DC-DC转换器等开关电路。它还是一种易于获得且价格低廉的MOSFET。

TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF3205得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安装版,适合较低端的应用。

产品图片

IRF3205

IRF3205

规格参数

产品型号

IRF3205

制造商

International Rectifier

制造商包装说明

TO-220AB,3针

符合REACH

雪崩能量等级(Eas)

264.0兆焦耳

组态

单头内置二极管

最大漏极电流(Abs)(ID)

98.0安

最大漏极电流(ID)

75.0安

最大电阻下的漏源

0.008欧姆

DS击穿电压-最小值

55.0伏

场效应管技术

金属氧化物半导体

JEDEC-95代码

TO-220AB

JESD-30代码

R-PSFM-T3

JESD-609代码

00

元素数

1.0

端子数

3

操作模式

增强模式

最高工作温度

175℃

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装形状

长方形

包装形式

法兰安装

峰值回流温度(℃)

225

极性/通道类型

N通道

功耗环境最大值

150.0瓦

最大功率耗散(Abs)

150.0瓦

脉冲漏极电流最大值(IDM)

390.0安

子类别

FET通用电源

终端完成

锡/铅(Sn / Pb)

终端表格

贯穿孔

终端位置

时间@峰值回流温度-最大值(秒)

30

晶体管应用

交换

晶体管元件材料

特点

  • N沟道功率MOSFET

  • 当VGS为10V时,连续漏极电流(ID)为110A

  • 最小栅极阈值电压2V

  • 漏极至源极击穿电压:55V

  • 导通电阻低至8.0mΩ

  • 栅极-源极电压(VGS)为±20V

  • 上升时间为101ns

  • 通常用于电源开关电路

  • 采用To-220封装

应用领域

  • 切换应用

  • 升压转换器

  • 斩波器

  • 太阳能逆变器

  • 速度控制

引脚图

封装

IRF3205封装

IRF3205封装

替代型号

IRF1405,IRF1407,IRF3305,IRFZ44N,IRFB3077,IRFB4110

PDF资料

产品制造商介绍

International Rectifier(简称IR)是一家美国电源管理技术公司,生产模拟和混合信号IC,高级电路设备,集成电源系统以及用于计算的高性能集成组件。2015年1月13日,该公司成为Infineon Technologies的一部分。作为英飞凌科技整体半导体产品组合的一部分,IR的产品将继续用于许多应用,包括照明,汽车,卫星,飞机和国防系统。以及基于电子产品的电源系统中的关键组件,这些产品尤其包括微型计算机,服务器,网络和电信设备。

相关产品推荐