23LCV1024-I/SN数据手册PDF

1.描述 2.产品概述 3.产品图片 4.规格参数 5.环境与出口分类 6.特点 7.应用领域 8.引脚图 9.CAD模型 10.封装 11.替代型号 12.PDF资料 13.应用笔记 14.产品制造商介绍

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描述

23LCV1024-I/SN是一款1MbSPI串行串行内存，具有备用电池和SDI接口。存储器通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线进行访问。所需的总线信号是时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。对设备的访问通过芯片选择(CS)输入进行控制。此外，如果应用需要更快的数据速率，则支持SDI(串行双接口)。SRAM可以通过Vbat引脚进行电池备份，基本上使SRAM非易失性。该器件还支持对阵列的无限读取和写入周期。

产品概述

产品型号	23LCV1024-I/SN
制造商	微芯科技
分类	集成电路(IC)，记忆力
描述	IC 静态存储器 1MB 螺旋/双通道 I/O 8SOIC
打包	管
工作温度	-40°C~85°C
安装类型	表面贴装
包装/箱	8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）
供应商设备包	8-固态
基本产品编号	23LCV1024

产品图片

23LCV1024-ISN

23LCV1024-I/SN

规格参数

产品状态	在售
内存类型	挥发性的
内存格式	静态内存
科技	静态内存-同步
内存大小	1Mb（128Kx8）
内存接口	SPI-双输入/输出
时钟频率	20兆赫
电压-电源	2.5V~5.5V
案例/包装	断续器
引脚数	8
访问时间	25纳秒
地址总线宽度	24字节
密度	1毫巴
频率	20兆赫
接口	断续器
最大频率	20兆赫
最高工作温度	85 °C
最大电源电压	5.5V
内存大小	128千字节
内存类型	非易失性、内存、静态存储器
最低工作温度	-40°C
最小电源电压	2.5V
标称电源电流	10毫安
端口数	1
同步/异步	同步
字大小	8字节
高度	1.25毫米
长度	4.9毫米
宽度	3.9毫米

环境与出口分类

属性	描述
无铅	无铅
辐射硬化	否
REACH SVHC	无SVHC

特点

SPI兼容型总线接口-20MHz时钟速率，SPI/SDI模式
低功耗CMOS技术
3mA@3.6V，20MHz读取电流
4μA@+85°C最大待机电流
无限制读写周期
零写入时间
32字节页面
通过Vbat引脚支持电池备份SRAM，自动切换到Vbat
顺序模式读写
高可靠性

应用领域

通信与网络

引脚图

CAD模型

23LCV1024-ISN符号

23LCV1024-I/SN符号

23LCV1024-ISN焊垫

23LCV1024-I/SN焊垫

23LCV1024-ISN 3D模型

23LCV1024-I/SN 3D模型

封装

23LCV1024-ISN封装

23LCV1024-I/SN封装

替代型号

型号	制造商	品名	描述
23LCV1024-I/P	微芯科技	RAM芯片	芯片,存储器,SRAM,串行口,1MB,2.5-5.5V,8PDIP
23LC1024T-I/SN	微芯科技	存储芯片	SRAM,1Mbit,128Kx8位,2.5V至5.5V,SOIC,8引脚
23LCV1024T-I/SN	微芯科技	存储芯片	3.3V/5V 1M-Bit 128K x 8 25ns 8Pin SOIC N T/R

PDF资料

应用笔记

类型	标题
PDF	23LCV1024-ISN产品设计参考手册.pdf
PDF	23LCV1024-ISN产品修订记录.pdf

产品制造商介绍

Microchip Technology股份有限公司是一家美国上市公司，生产微控制器、混合信号、模拟和闪存IP集成电路。其产品包括微控制器(PIC、dsPIC、AVR和SAM)、串行EEPROM设备、串行SRAM设备、嵌入式安全设备、射频(RF)设备、热、功率和电池管理模拟设备，以及线性、接口和无线产品。