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十二月 30 2020

IRF3205_中文资料_IR_参数_引脚图_替代型号_封装_PDF

IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF3205是一个高电流N沟道MOSFET能够切换电流高达110A和55V。

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十二月 30 2020

IRF840_中文资料_IR_参数_引脚图_替代型号_封装_PDF

IRF840是N沟道功率MOSFET,其可切换负载高达500V。Mosfet可以切换消耗高达8A的负载,并且可以通过在栅极和源极引脚之间提供10V的栅极阈值电压来使其导通。

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十二月 18 2019

IR2110中文资料_电路图_引脚图_PDF下载_替代型号_封装_参数

IR2110是美国国际整流器公司(International Rectifier Company )利用自身独有的高压集成电路及无门锁CMOS 技术,于1990年前后开发并投放市场的大功率MOSFET和IGBT专用栅极驱动集成电路

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