IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF3205是一个高电流N沟道MOSFET能够切换电流高达110A和55V。
十二月 30 2020
IRF3205_中文资料_IR_参数_引脚图_替代型号_封装_PDF
十二月 30 2020
IRF840_中文资料_IR_参数_引脚图_替代型号_封装_PDF
十二月 18 2019
IR2110中文资料_电路图_引脚图_PDF下载_替代型号_封装_参数
IR2110是美国国际整流器公司(International Rectifier Company )利用自身独有的高压集成电路及无门锁CMOS 技术，于1990年前后开发并投放市场的大功率MOSFET和IGBT专用栅极驱动集成电路