主页  元器件信息库   CSD18531Q5A

标题

CSD18531Q5A_中文资料_TI_PDF下载_规格参数

产品概述

产品型号

CSD18531Q5A

描述

场效应管N-CH 60V 8SON

分类

分立半导体产品,晶体管-FET,MOSFET-单

制造商

德州仪器

系列

NexFET™

打包

切割带(CT)

零件状态

活性

工作温度

-55°C〜150°C(TJ)

供应商设备包装

8-VSONP(5x6)

包装/箱

8电源TDFN

产品图片

CSD18531Q5A

CSD18531Q5A

规格参数

制造商包装说明

VSONP-8

符合欧盟RoHS

状态

活性

雪崩能量等级(Eas)

224.0兆焦耳

案例连接

排水

组态

单头内置二极管

最大漏极电流(Abs)(ID)

100.0安

最大漏极电流(ID)

19.0安

最大电阻下的漏源

0.0058欧姆

DS击穿电压-最小值

60.0伏

反馈上限(Crss)

14.0 pF

场效应管技术

金属氧化物半导体

JESD-30代码

R-PDSO-F5

JESD-609代码

e3

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏极至源极电压(Vdss)

60伏

电流-25°C时的连续漏极(Id)

19A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大Rds开启,最小Rds开启)

4.5V,10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6毫欧@ 22A,10V

Vgs(th)(最大值)@ ID

2.3V @ 250µA

栅极电荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10V时为43nC

Vgs(最大值)

±20V

输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds

3840pF @ 30V

耗散功率(最大值)

3.1W(Ta),156W(Tc)

元素数

1.0

端子数

5

操作模式

增强模式

最低工作温度

-55℃

最高工作温度

175℃

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装形状

长方形

包装形式

小轮廓

峰值回流温度(℃)

260

极性/通道类型

N通道

最大功耗(Abs)

156.0瓦

脉冲漏极电流最大值(IDM)

122.0安

子类别

FET通用电源

安装类型

表面贴装

终端完成

磨砂锡(Sn)

终端表格

平面

终端位置

时间@峰值回流温度最大值(秒)

未标明

晶体管应用

交换

晶体管元件材料


附加功能

AVALANCHE额定,逻辑级别兼容

环境与出口分类

无铅状态/ RoHS状态

含铅/符合ROHS3

水分敏感性水平(MSL)

1(无限制)

特点

  • 超低Q g和Q gd

  • 低热阻

  • 雪崩等级

  • 逻辑水平

  • 无铅端子电镀

  • 符合RoHS

  • 无卤素

  • VSONP 5 mm×6 mm塑料封装

应用领域

  • 电源管理

  • 电机驱动和控制

CAD模型

CSD18531Q5A符号

CSD18531Q5A符号

CSD18531Q5A脚印

CSD18531Q5A脚印

PDF资料

产品制造商介绍

德州仪器于1951年创建。它由地球物理业务公司(Geophysical Service Incorporated, GSI)整组而产生。德州仪器是世界第三大半导体制造商,仅次于英特尔,三星;是移动电话的第二大芯片供应商,仅次于高通;同时也是在世界范围内的第一大数字信号处理器(DSP)和模拟半导体组件的制造商,其产品还包括计算器、微控制器以及多核处理器。德州仪器居世界半导体公司20强。