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三月 7 2020

CSD17308Q3_中文资料_TI_PDF下载_规格参数

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产品概述

产品型号

CSD17308Q3

描述

场效应管N-CH 30V 47A 8SON

分类

分立半导体产品,晶体管-FET,MOSFET-单

制造商

德州仪器

系列

NexFET™

打包

切割带(CT)

零件状态

活性

工作温度

-55°C〜150°C(TJ)

供应商设备包装

8-VSON-CLIP(3.3x3.3)

包装/箱

8电源TDFN

基本零件号

CSD17308

产品图片

CSD17308Q3

CSD17308Q3

规格参数

制造商包装说明

3.30 X 3.30 MM,符合RoHS标准,塑料,SON-8

符合欧盟RoHS

状态

活性

雪崩能量等级(Eas)

65.0兆焦耳

案例连接

排水

组态

单头内置二极管

最大漏极电流(Abs)(ID)

44.0安

最大漏极电流(ID)

47.0安

最大电阻下的漏源

0.0165欧姆

DS击穿电压-最小值

30.0伏

反馈上限(Crss)

35.0 pF

场效应管技术

金属氧化物半导体

JESD-30代码

S-PDSO-F5

JESD-609代码

e3

元素数

1.0

端子数

5

操作模式

增强模式

最低工作温度

-55℃

最高工作温度

150℃

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装形状

广场

包装形式

小轮廓

峰值回流温度(℃)

260

极性/通道类型

N通道

最大功耗(Abs)

28.0瓦

最大脉冲漏极电流(IDM)

78.0安

资格状态

不合格

子类别

FET通用电源

安装类型

表面贴装

终端完成

磨砂锡(Sn)

终端表格

平面

终端位置

时间@峰值回流温度-最大(秒)

未标明

晶体管应用

交换

晶体管元件材料

附加功能

雪崩等级

环境与出口分类

RoHS状态

符合ROHS3

水分敏感性水平(MSL)

1(无限制)

特点

  • 针对5V栅极驱动进行了优化

  • 超低Q g和Q gd

  • 低热阻

  • 雪崩等级

  • 无铅端子电镀

  • 符合RoHS

  • 无卤素

  • SON 3.3毫米×3.3毫米塑料封装

应用领域

  • 笔记本负载点

  • 网络,电信和计算系统中的负载点同步降压

CAD模型

CSD17308Q3符号

CSD17308Q3符号

CSD17308Q3脚印

CSD17308Q3脚印

PDF资料

产品制造商介绍

德州仪器(英语:Texas Instruments, TI,NASDAQ:TXN)是一家位于美国德克萨斯州达拉斯的跨国公司,以开发、制造、销售半导体和计算器技术闻名于世,主要从事数字信号处理与模拟电路方面的研究、制造和销售。它在25个国家有制造、设计或者销售机构。德州仪器是世界第三大半导体制造商,仅次于英特尔,三星;是移动电话的第二大芯片供应商,仅次于高通;同时也是在世界范围内的第一大数字信号处理器(DSP)和模拟半导体组件的制造商,其产品还包括计算器、微控制器以及多核处理器。