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五月 6 2020

CSD16301Q2_中文资料_TI_PDF下载_规格参数

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产品概述

产品型号

CSD16301Q2

描述

MOSFET N-CH 25V 6-SON

分类

分立半导体产品,晶体管-FET,MOSFET-单

制造商

德州仪器

系列

NexFET™

打包

切割带(CT)

零件状态

活性

工作温度

-55°C〜150°C(TJ)

供应商设备包装

6-SON

包装/箱

6-SMD扁平引线

基本零件号

CSD1630

产品图片

CSD16301Q2

CSD16301Q2

规格参数

制造商包装说明

2 X 2 MM,绿色,塑料,SON-6

符合REACH

符合欧盟RoHS

符合中国RoHS

状态

活性

雪崩能量等级(Eas)

10.0兆焦耳

组态

单头内置二极管

最大漏极电流(Abs)(ID)

5.0安

最大漏极电流(ID)

5.0安

最大电阻下的漏源

0.034欧姆

DS击穿电压-最小值

25.0伏

反馈上限(Crss)

17.0 pF

场效应管技术

金属氧化物半导体

JESD-30代码

R-PDSO-N6

JESD-609代码

e3

元素数

1.0

端子数

6

操作模式

增强模式

最低工作温度

-55℃

最高工作温度

150℃

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装形状

长方形

包装形式

小轮廓

峰值回流温度(℃)

260

极性/通道类型

N通道

最大功耗(Abs)

2.3瓦

最大脉冲漏极电流(IDM)

20.0安

资格状态

不合格

子类别

FET通用电源

安装类型

表面贴装

终端完成

磨砂锡(Sn)

终端表格

无铅

终端位置

时间@峰值回流温度-最大(秒)

未标明

晶体管应用

交换

晶体管元件材料

环境与出口分类

RoHS状态

符合ROHS3

水分敏感性水平(MSL)

1(无限制

特点

  • 超低Q g和Q gd

  • 低热阻

  • 无铅端子电镀

  • 符合RoHS

  • 无卤素

  • SON 2mm×2mm塑料封装

应用领域

  • DC-DC转换器

  • 电池和负载管理应用

CAD模型

CSD16301Q2符号

CSD16301Q2符号

CSD16301Q2脚印

CSD16301Q2脚印

PDF资料

产品制造商介绍

德州仪器于1951年创建。它由地球物理业务公司(Geophysical Service Incorporated, GSI)整组而产生。这家公司最初生产地震工业和国防电子的相关设备。TI于20世纪50年代初开始研究晶体管,同时也制造了世界上第一个商用硅晶体管。1954年,TI研发制造了第一台晶体管收音机,1958年,在TI中新研究实验室工作的Jack Kilby杰克·基尔比发明了集成电路。1961年,TI为美国空军制造了第一台集成电路电脑。50年代末期,TI开始研究红外线技术,随后TI涉足制造导弹和炸弹的雷达系统,导航和控制系统。世界上第一台便携式计算器由TI于1967年发明。

20世纪70、80年代公司业务集中于家用电子产品,如数字钟表、电子手表、便携式计算器、家用电脑以及各种传感器。1997年公司将其国防业务出售给了美国雷神公司。2007年,德州仪器被认为是世界上最大的道德企业之一。